Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ200UNEYL
PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZ200UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMZ200UNEYL за ціною від 4.63 грн до 30.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 13536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.86 грн
100+10.57 грн
500+7.37 грн
1000+6.54 грн
2000+5.85 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Виробник : Nexperia PMZ200UNE-2938658.pdf MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.30 грн
15+22.67 грн
100+8.39 грн
1000+5.89 грн
2500+5.52 грн
10000+5.00 грн
20000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Виробник : Nexperia 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Виробник : Nexperia 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Виробник : NEXPERIA 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ200UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZ200UNE.pdf PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.