на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5748+ | 2.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ290UNE2YL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMZ290UNE2YL за ціною від 2.26 грн до 26.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 8978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMZ290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 7097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 3635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A |
на замовлення 33538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
на замовлення 90506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMZ290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 4A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 475mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |