PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.56 грн |
| 20000+ | 2.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ290UNE2YL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-883, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-101, SOT-883, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PMZ290UNE2YL за ціною від 2.07 грн до 12.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ290UNE2YL | Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A |
на замовлення 33538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMZ290UNE2YL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 90506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PMZ290UNE2YL | Nexperia |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| PMZ290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
MOSFETs SOT883 N-CH 20V 1.2A
на замовлення 33538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 11.76 грн |
| 39+ | 8.26 грн |
| 100+ | 4.63 грн |
| 500+ | 4.07 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| 10000+ | 2.07 грн |
| PMZ290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 90506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.43 грн |
| 38+ | 8.08 грн |
| 100+ | 5.06 грн |
| 500+ | 3.60 грн |
| PMZ290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 46, Qg, нКл = 1,4, Rds = 320 мА, Ugs(th) = 950 мВ, Р, Вт = 5,43, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-883 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.74 грн |