Продукція > NEXPERIA > PMZ320UPEYL
PMZ320UPEYL

PMZ320UPEYL Nexperia

805495259792606pmz320upe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ320UPEYL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMZ320UPEYL за ціною від 3.14 грн до 28.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : NEXPERIA 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1437+5.03 грн
2500+4.83 грн
5000+3.90 грн
10000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 1437
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2253+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 2253
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.22 грн
1000+4.92 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 22996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.76 грн
21+14.96 грн
100+7.27 грн
500+6.29 грн
1000+4.82 грн
2000+4.55 грн
5000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.72 грн
48+17.45 грн
114+7.33 грн
500+6.22 грн
1000+4.92 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia PMZ320UPE.pdf MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 13555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.91 грн
20+17.89 грн
100+7.22 грн
500+6.62 грн
1000+5.06 грн
2500+4.54 грн
5000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Виробник : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ320UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.