на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ320UPEYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMZ320UPEYL за ціною від 4.08 грн до 26.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V |
на замовлення 26546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
PMZ320UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMZ320UPE/SOT883/XQFN3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMZ320UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |