PMZ350UPEYL

PMZ350UPEYL Nexperia


4380240375791274pmz350upe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4732+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ350UPEYL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMZ350UPEYL за ціною від 2.65 грн до 28.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 85581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8721+3.55 грн
10000+3.17 грн
100000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 8721
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1946+5.11 грн
3000+5.01 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 1946
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.86 грн
1000+4.57 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
838+14.77 грн
1049+11.80 грн
2014+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 838
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.32 грн
29+13.84 грн
34+11.64 грн
100+6.42 грн
249+3.71 грн
685+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.22 грн
55+15.41 грн
133+6.39 грн
500+5.86 грн
1000+4.57 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia PMZ350UPE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 12222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.31 грн
26+13.72 грн
100+5.81 грн
500+5.13 грн
1000+4.68 грн
5000+3.77 грн
10000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.39 грн
18+17.25 грн
21+13.97 грн
100+7.71 грн
249+4.45 грн
685+4.21 грн
30000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
19+17.06 грн
50+12.25 грн
100+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.