на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4732+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ350UPEYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMZ350UPEYL за ціною від 2.62 грн до 24.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 85581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ350UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V |
на замовлення 15210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 12222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZ350UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMZ350UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors |
на замовлення 9834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |