| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4732+ | 3.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4732 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ350UPEYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMZ350UPEYL за ціною від 3.13 грн до 21.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ350UPEYL | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 85581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -2.8A Gate charge: 1.9nC |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8721+ | 4.20 грн |
| 10000+ | 3.75 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8721+ | 4.20 грн |
| 10000+ | 3.75 грн |
| 100000+ | 3.13 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 85581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8721+ | 4.20 грн |
| 10000+ | 3.75 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1946+ | 5.64 грн |
| 3000+ | 5.54 грн |
| 6000+ | 3.57 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 838+ | 17.48 грн |
| 1049+ | 13.96 грн |
| 2014+ | 7.27 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 1.9nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 1.9nC
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 21.03 грн |
| 31+ | 14.09 грн |
| 38+ | 11.21 грн |
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMZ350UPEYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)