Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ350UPEYL
PMZ350UPEYL

PMZ350UPEYL Nexperia USA Inc.

PMZ350UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ350UPEYL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PMZ350UPEYL за ціною від 3.07 грн до 35.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1008+11.62 грн
1015+ 11.54 грн
1429+ 8.19 грн
1873+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 1008
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.03 грн
500+ 8 грн
1000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+19.85 грн
36+ 16.14 грн
100+ 10.4 грн
250+ 9.57 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
на замовлення 23718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
17+ 16.55 грн
100+ 8.37 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.76 грн
2000+ 4 грн
5000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia PMZ350UPE-2938839.pdf MOSFET PMZ350UPE/SOT883/XQFN3
на замовлення 14172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
17+ 18.96 грн
100+ 7.61 грн
1000+ 4.67 грн
2500+ 4.01 грн
10000+ 3.2 грн
20000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.57 грн
30+ 25.61 грн
100+ 13.03 грн
500+ 8 грн
1000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+10.19 грн
77+ 4.56 грн
100+ 4.12 грн
246+ 3.28 грн
675+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 37
PMZ350UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.22 грн
46+ 5.68 грн
100+ 4.95 грн
246+ 3.94 грн
675+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 23
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL Виробник : Nexperia 4380240375791274pmz350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній