Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ370UNEYL
PMZ370UNEYL

PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZ370UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ370UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PMZ370UNEYL за ціною від 5.09 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : Nexperia 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4935+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : Nexperia 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
638+20.42 грн
1000+17.98 грн
2000+12.93 грн
10000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 638
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ370UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
18+17.47 грн
100+10.96 грн
500+7.45 грн
1000+6.35 грн
2000+5.93 грн
5000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : Nexperia PMZ370UNE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
17+20.14 грн
100+11.11 грн
500+8.24 грн
1000+6.47 грн
2500+5.89 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL Виробник : NXP Semiconductors PMZ370UNE.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4935+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4935
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : Nexperia 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL PMZ370UNEYL Виробник : NEXPERIA 4374471656643985pmz370une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ370UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZ370UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Pulsed drain current: 3.6A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.