PMZ370UNEYL Nexperia
Код товару: 215727
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Nexperia
Корпус: SOT-883
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 370 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 52/0,77
Примітка: 30 V, N-канальний Trench MOSFET
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PMZ370UNEYL за ціною від 4.49 грн до 26.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMZ370UNEYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMZ370UNEYL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMZ370UNEYL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 18250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMZ370UNEYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V |
на замовлення 24340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMZ370UNEYL | Nexperia |
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 7679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMZ370UNEYL | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.49 грн |
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4935+ | 7.12 грн |
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 638+ | 23.51 грн |
| 1000+ | 20.70 грн |
| 2000+ | 14.89 грн |
| 10000+ | 13.64 грн |
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 24340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.17 грн |
| 18+ | 16.90 грн |
| 100+ | 10.60 грн |
| 500+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 2000+ | 5.74 грн |
| 5000+ | 4.93 грн |
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4935+ | 7.12 грн |





