PMZ600UNELYL

PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc.


PMZ600UNEL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.55 грн
20000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZ600UNELYL за ціною від 2.19 грн до 33.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia 4387648502492710pmz600unel.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia 4387648502492710pmz600unel.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia 4387648502492710pmz600unel.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
961+13.34 грн
1474+8.70 грн
2312+5.55 грн
2447+5.05 грн
5000+4.02 грн
10000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia PMZ600UNEL.pdf MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 11847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.45 грн
35+9.21 грн
100+4.72 грн
500+4.38 грн
1000+3.56 грн
5000+3.15 грн
10000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ600UNEL.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 33319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.40 грн
31+9.86 грн
100+5.19 грн
500+4.51 грн
1000+3.93 грн
2000+3.66 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia 4387648502492710pmz600unel.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+33.41 грн
27+27.27 грн
100+14.29 грн
500+8.99 грн
1000+5.31 грн
2000+4.81 грн
5000+4.14 грн
10000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Виробник : Nexperia 4387648502492710pmz600unel.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.