PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc.


PMZ600UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZ600UNEYL за ціною від 2.42 грн до 16.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMZ600UNEYL PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ600UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
30+10.11 грн
100+6.29 грн
500+3.67 грн
1000+3.24 грн
2000+2.87 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL PMZ600UNEYL Nexperia PMZ600UNE.pdf MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 80298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL PMZ600UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
30+10.11 грн
100+6.29 грн
500+3.67 грн
1000+3.24 грн
2000+2.87 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL PMZ600UNE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 80298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.