Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZ600UNEYL
PMZ600UNEYL

PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZ600UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZ600UNEYL за ціною від 2.50 грн до 21.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZ600UNEYL PMZ600UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ600UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 13591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
29+10.73 грн
100+6.67 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+3.17 грн
5000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL PMZ600UNEYL Виробник : Nexperia PMZ600UNE.pdf MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
на замовлення 95707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.20 грн
27+12.94 грн
100+4.63 грн
1000+4.41 грн
2500+3.75 грн
10000+2.87 грн
20000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZ600UNE.pdf PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ600UNEYL PMZ600UNEYL Виробник : NEXPERIA 4375085543312797pmz600une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.