PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.52 грн |
| 23+ | 13.24 грн |
| 100+ | 8.29 грн |
| 500+ | 5.74 грн |
| 1000+ | 5.09 грн |
| 2000+ | 4.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 715mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 715mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PMZ950UPELYL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ950UPELYL | Nexperia |
 MOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A |
на замовлення 114617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PMZ950UPELYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 715mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 715mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
PMZ950UPELYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 715mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMZ950UPELYL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A
MOSFETs SOT883 P-CH 20V .5A
на замовлення 114617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMZ950UPELYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 715mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 715mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMZ950UPELYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PMZ950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 715mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)