на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 957+ | 13.01 грн |
| 968+ | 12.85 грн |
| 1474+ | 8.44 грн |
| 2226+ | 5.39 грн |
| 3000+ | 4.92 грн |
| 6000+ | 4.19 грн |
| 15000+ | 3.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ950UPEYL Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMZ950UPEYL за ціною від 3.30 грн до 34.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMZ950UPE/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 18908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PMZ950UPEYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| PMZ950UPEYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.3A Pulsed drain current: -2A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench |
товару немає в наявності |