Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB1200UPEYL Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMZB1200UPEYL за ціною від 4.42 грн до 8.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZB1200UPEYL | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PMZB1200UPEYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V |
на замовлення 7952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PMZB1200UPEYL | NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN |
на замовлення 31696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
PMZB1200UPEYL | Nexperia |
MOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| PMZB1200UPEYL | Nexperia |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: XFDFN-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||
| PMZB1200UPEYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 594195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.42 грн |
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 7952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2534+ | 8.15 грн |
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
Description: NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2534+ | 8.15 грн |
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A
MOSFETs SOT883 P-CH 30V .41A
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: XFDFN-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 410 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43,2, Qg, нКл = 1,2, Rds = 1,4 Ом, Ugs(th) = 650 мВ, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: XFDFN-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 8.42 грн |
| PMZB1200UPEYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)