Продукція > NEXPERIA > PMZB1200UPEYL
PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL Nexperia

pmzb1200upe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB1200UPEYL Nexperia

Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMZB1200UPEYL за ціною від 3.40 грн до 30.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZB1200UPEYL PMZB1200UPEYL Виробник : Nexperia pmzb1200upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYL PMZB1200UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB1200UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
на замовлення 9952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
21+15.10 грн
50+10.80 грн
100+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYL PMZB1200UPEYL Виробник : Nexperia PMZB1200UPE-2938709.pdf MOSFET PMZB1200UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 18531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.30 грн
17+20.84 грн
100+7.55 грн
1000+4.68 грн
2500+4.53 грн
10000+3.55 грн
20000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZB1200UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZB1200UPEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 594195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYL PMZB1200UPEYL Виробник : Nexperia pmzb1200upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.41A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB1200UPEYL PMZB1200UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB1200UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.