Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL

PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZB150UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB150UNEYL за ціною від 5.15 грн до 33.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZB150UNEYL PMZB150UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB150UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 13025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
32+9.58 грн
100+6.49 грн
500+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYL PMZB150UNEYL Виробник : Nexperia PMZB150UNE-2938874.pdf MOSFET PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.56 грн
14+24.96 грн
100+9.27 грн
1000+6.40 грн
2500+6.11 грн
10000+5.44 грн
20000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB150UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZB150UNE.pdf PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.