Технічний опис PMZB150UNEYL Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1A, Pulsed drain current: 6A, Case: DFN1006B-3; SOT883B, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Gate charge: 1.6nC.
Інші пропозиції PMZB150UNEYL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZB150UNEYL | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
PMZB150UNEYL | Nexperia |
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PMZB150UNEYL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A Pulsed drain current: 6A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Gate charge: 1.6nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMZB150UNEYL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PMZB150UNEYL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
MOSFETs PMZB150UNE/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PMZB150UNEYL |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 6A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 1.6nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 1A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 6A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate charge: 1.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.