Продукція > NEXPERIA > PMZB200UNEYL
PMZB200UNEYL

PMZB200UNEYL Nexperia

1179281806207626pmzb200une.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.12 грн
40+19.17 грн
100+11.01 грн
250+10.18 грн
500+9.33 грн
1000+6.03 грн
3000+5.96 грн
6000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB200UNEYL Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції PMZB200UNEYL за ціною від 11.62 грн до 33.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia 1179281806207626pmzb200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.67 грн
50+14.16 грн
100+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia PMZB200UNE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 23966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL NEXPERIA PMZB200UNE.pdf Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 421580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5773 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL 1179281806207626pmzb200une.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 8136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
543+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 543 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 5543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.40 грн
16+19.67 грн
50+14.16 грн
100+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 23966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 421580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5773 шт
В кошику  од. на суму  грн.