| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.53 грн |
| 50000+ | 3.50 грн |
| 100000+ | 3.40 грн |
| 250000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB290UNE2YL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMZB290UNE2YL за ціною від 3.23 грн до 22.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 770000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 129280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 770000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 3.61 грн |
| 40000+ | 3.53 грн |
| 50000+ | 3.51 грн |
| 150000+ | 3.23 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.67 грн |
| 30000+ | 3.54 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.38 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1209+ | 11.73 грн |
| 1272+ | 11.15 грн |
| 1671+ | 8.49 грн |
| 2389+ | 5.72 грн |
| 3000+ | 5.06 грн |
| 6000+ | 4.46 грн |
| 15000+ | 3.52 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.75 грн |
| 24+ | 12.79 грн |
| 50+ | 9.17 грн |
| 100+ | 7.49 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 28568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.25 грн |
| 45+ | 16.95 грн |
| 46+ | 16.68 грн |
| 100+ | 11.29 грн |
| 250+ | 9.93 грн |
| 500+ | 7.23 грн |
| 1000+ | 5.01 грн |
| 3000+ | 4.86 грн |
| 6000+ | 3.37 грн |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)