PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 24+ | 12.91 грн |
| 50+ | 9.25 грн |
| 100+ | 7.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB290UNE2YL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PMZB290UNE2YL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZB290UNE2YL | Nexperia |
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 129280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMZB290UNE2YL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
на замовлення 129280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)