на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB290UNE2YL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMZB290UNE2YL за ціною від 2.78 грн до 28.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 770000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 770000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 28568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V |
на замовлення 16804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3 |
на замовлення 129280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| PMZB290UNE2YL | Виробник : NEXPERIA |
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
PMZB290UNE2YL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R |
товару немає в наявності |