Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB320UPEYL
PMZB320UPEYL

PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc.

PMZB320UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.73 грн
30000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMZB320UPEYL за ціною від 3.8 грн до 34.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Виробник : NEXPERIA 804147737645134pmzb320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 64682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.7 грн
13+ 21.37 грн
100+ 10.82 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.14 грн
2000+ 5.17 грн
5000+ 4.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Виробник : Nexperia PMZB320UPE-2938820.pdf MOSFET PMZB320UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 39246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.65 грн
16+ 19.3 грн
100+ 7.86 грн
1000+ 5.33 грн
2500+ 4.93 грн
10000+ 4.4 грн
20000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMZB320UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZB320UPE.pdf PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
товар відсутній