Продукція > NXP > PMZB370UNE,315

PMZB370UNE,315 NXP

Виробник: NXP
Description: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 570000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8417+	4.87 грн

Мінімальне замовлення: 8417

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMZB370UNE,315 NXP

Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PMZB370UNE,315

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PMZB370UNE,315	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMZB370UNE,315	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMZB370UNE,315	Виробник : Nexperia	MOSFET N-Chan 30V 900mA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.