Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB550UNEYL
PMZB550UNEYL

PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc.

PMZB550UNE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMZB550UNEYL за ціною від 4.41 грн до 37.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 18644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.81 грн
15+ 19.42 грн
100+ 9.82 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
2000+ 4.69 грн
5000+ 4.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Виробник : Nexperia PMZB550UNE-2938737.pdf MOSFET PMZB550UNE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 16305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.29 грн
12+ 27.34 грн
100+ 13.52 грн
500+ 8.92 грн
1000+ 6.86 грн
2500+ 5.99 грн
10000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMZB550UNEYL Виробник : NEXPERIA PMZB550UNE.pdf PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товар відсутній