Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB600UNELYL
PMZB600UNELYL

PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.

PMZB600UNEL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.83 грн
20000+2.66 грн
30000+2.59 грн
50000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB600UNELYL за ціною від 2.58 грн до 22.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB600UNEL.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 56420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.51 грн
26+12.16 грн
100+5.46 грн
500+5.03 грн
1000+4.23 грн
2000+4.05 грн
5000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Виробник : Nexperia PMZB600UNEL.pdf MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A
на замовлення 13933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.82 грн
25+13.95 грн
100+5.23 грн
500+4.78 грн
1000+4.02 грн
5000+3.72 грн
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Виробник : Nexperia 4372656536448798pmzb600unel.pdf N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL Виробник : NEXPERIA 4372656536448798pmzb600unel.pdf N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL Виробник : NEXPERIA PMZB600UNEL.pdf PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.