PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.82 грн |
| 20000+ | 2.65 грн |
| 30000+ | 2.58 грн |
| 50000+ | 2.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMZB600UNELYL за ціною від 2.57 грн до 22.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMZB600UNELYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
на замовлення 56420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZB600UNELYL | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 20V .6A |
на замовлення 13933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMZB600UNELYL | Виробник : Nexperia |
N-channel Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMZB600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
N-channel Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PMZB600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PMZB600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |