Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB600UNELYL
PMZB600UNELYL

PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.

PMZB600UNEL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.4A, Pulsed drain current: 2.5A, Case: DFN1006B-3; SOT883B, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 0.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції PMZB600UNELYL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc. PMZB600UNEL.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Nexperia PMZB600UNEL.pdf MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL NEXPERIA PMZB600UNEL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNELYL Nexperia 4372656536448798pmzb600unel.pdf N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNEL.pdf
PMZB600UNELYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNEL.pdf
PMZB600UNELYL
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL PMZB600UNEL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB600UNELYL 4372656536448798pmzb600unel.pdf
PMZB600UNELYL
Виробник: Nexperia
N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.