Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMZB670UPE,315
PMZB670UPE,315

PMZB670UPE,315 Nexperia USA Inc.

PMZB670UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.08 грн
20000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB670UPE,315 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZB670UPE,315 за ціною від 4.63 грн до 34.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZB670UPE,315 PMZB670UPE,315 Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB670UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
на замовлення 27643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.81 грн
17+19.59 грн
100+12.38 грн
500+8.66 грн
1000+7.71 грн
2000+6.91 грн
5000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315 PMZB670UPE,315 Виробник : Nexperia PMZB670UPE.pdf MOSFETs PMZB670UPE/SOT883B/XQFN3
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.50 грн
17+20.75 грн
100+8.34 грн
1000+5.91 грн
2500+5.46 грн
10000+4.85 грн
20000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315 Виробник : NEXPERIA PMZB670UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1934000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7082+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 7082
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB670UPE,315 Виробник : NEXPERIA PMZB670UPE.pdf PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.