Продукція > NEXPERIA > PMZB950UPELYL
PMZB950UPELYL

PMZB950UPELYL NEXPERIA


PMZB950UPEL.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZB950UPELYL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMZB950UPELYL за ціною від 5.13 грн до 31.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMZB950UPELYL PMZB950UPELYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB950UPEL.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYL PMZB950UPELYL Виробник : NEXPERIA PMZB950UPEL.pdf Description: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.82 грн
48+17.25 грн
100+8.50 грн
500+6.82 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYL PMZB950UPELYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZB950UPEL.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 34538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
18+18.01 грн
100+8.53 грн
500+7.26 грн
1000+5.89 грн
2000+5.61 грн
5000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYL PMZB950UPELYL Виробник : Nexperia PMZB950UPEL.pdf MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
18+19.29 грн
100+8.61 грн
500+7.87 грн
1000+6.18 грн
2500+6.11 грн
5000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB950UPELYL Виробник : NEXPERIA 4372662572077642pmzb950upel.pdf P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.