PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.21 грн |
| 16+ | 18.91 грн |
| 50+ | 13.65 грн |
| 100+ | 11.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZB950UPEYL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMZB950UPEYL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZB950UPEYL | Nexperia |
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMZB950UPEYL |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)