PN2222ABU
Код товару: 106972
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PN2222ABU за ціною від 2.37 грн до 21.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 89270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 22270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 7488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: bulk |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 80178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 31019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PN2222ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PN2222ABU | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 PN2222ABU PN2222ATA TPN2222ataкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 89270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7143+ | 4.96 грн |
| 10000+ | 4.42 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 22270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7143+ | 4.96 грн |
| 10000+ | 4.42 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1859+ | 7.63 грн |
| 5000+ | 5.48 грн |
| 10000+ | 5.42 грн |
| 30000+ | 5.04 грн |
| 50000+ | 4.14 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 16.54 грн |
| 240+ | 3.16 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 17.90 грн |
| 34+ | 12.30 грн |
| 40+ | 10.47 грн |
| 100+ | 6.04 грн |
| 500+ | 4.35 грн |
| 1000+ | 4.10 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.09 грн |
| 78+ | 10.39 грн |
| 119+ | 6.79 грн |
| 500+ | 4.52 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| 5000+ | 3.80 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 80178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.19 грн |
| 26+ | 11.82 грн |
| 100+ | 7.37 грн |
| 500+ | 5.11 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| 2000+ | 4.02 грн |
| 5000+ | 3.43 грн |
| 10000+ | 3.10 грн |
| 50000+ | 2.53 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 31019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.78 грн |
| 26+ | 12.54 грн |
| 100+ | 6.90 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 21.26 грн |
| 212+ | 3.58 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 PN2222ABU PN2222ATA TPN2222ata
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 PN2222ABU PN2222ATA TPN2222ata
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.37 грн |







