PN2222ATFR ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 3.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2222ATFR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PN2222ATFR за ціною від 2.7 грн до 29.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PN2222ATFR | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 1A TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PN2222ATFR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 17142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PN2222ATFR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2222ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 43435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PN2222ATFR | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 370000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PN2222ATFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 1A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |