PN2907ABU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6712+ | 5.26 грн |
| 10000+ | 4.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2907ABU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PN2907ABU за ціною від 3.29 грн до 24.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PN2907ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 20592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 18771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ABU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ABU | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 16591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ABU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 53745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PN2907ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6712+ | 5.26 грн |
| 10000+ | 4.69 грн |
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 18771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6712+ | 5.26 грн |
| 10000+ | 4.69 грн |
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1560+ | 9.05 грн |
| 5000+ | 6.42 грн |
| 10000+ | 5.95 грн |
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.57 грн |
| 25+ | 12.49 грн |
| 100+ | 7.79 грн |
| 500+ | 5.41 грн |
| 1000+ | 4.79 грн |
| 2000+ | 4.27 грн |
| 5000+ | 3.64 грн |
| 10000+ | 3.29 грн |
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 53745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.91 грн |
| 25+ | 13.43 грн |
| 100+ | 7.31 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| PN2907ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 24.37 грн |
| 55+ | 15.18 грн |
| 100+ | 9.52 грн |
| 500+ | 6.49 грн |
| 1000+ | 4.78 грн |
| 5000+ | 3.97 грн |






