PN2907ABU ON Semiconductor
на замовлення 49372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6727+ | 4.55 грн |
| 10000+ | 4.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2907ABU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PN2907ABU за ціною від 3.27 грн до 26.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 33712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 18771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ABU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ABU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 79593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ABU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 11049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ABU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |