PN2907ATA ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3650+ | 3.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2907ATA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: -, Verlustleistung Pd: 625, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 800, Übergangsfrequenz: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції PN2907ATA за ціною від 2.36 грн до 23.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PN2907ATA | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 138689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 6816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| PN2907ATA | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
PN2907ATA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
PN2907ATA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung Pd: 625 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |