PN2907ATAR onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 4.68 грн |
| 4000+ | 4.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2907ATAR onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції PN2907ATAR за ціною від 3.66 грн до 22.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PN2907ATAR | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATAR | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATAR | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 9175 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| PN2907ATAR |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7390+ | 4.82 грн |
| 10000+ | 4.30 грн |
| PN2907ATAR |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.83 грн |
| 24+ | 12.48 грн |
| 100+ | 7.76 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 4.75 грн |
| PN2907ATAR |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 9175 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 22.78 грн |
| 22+ | 13.79 грн |
| 100+ | 7.46 грн |
| 500+ | 5.56 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| 2000+ | 4.10 грн |
| 4000+ | 3.66 грн |




