Технічний опис PN2907ATF Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PN2907ATF за ціною від 3.12 грн до 21.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PN2907ATF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 6910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PN2907ATF | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PN2907ATF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PN2907ATF | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PN2907ATF | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 5468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
PN2907ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PN2907ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATF - General Purpose Transistor PNP Silicon/ REEL 08AK6759tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: TBA euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3185+ | 4.43 грн |
| 3297+ | 4.28 грн |
| 3425+ | 4.12 грн |
| 3563+ | 3.82 грн |
| 3713+ | 3.39 грн |
| 6000+ | 3.12 грн |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 4.51 грн |
| 4000+ | 3.89 грн |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2072+ | 6.81 грн |
| 6000+ | 6.38 грн |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.36 грн |
| 24+ | 12.72 грн |
| 100+ | 7.93 грн |
| 500+ | 5.48 грн |
| 1000+ | 4.85 грн |
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 5468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2907ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATF - General Purpose Transistor PNP Silicon/ REEL 08AK6759
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - PN2907ATF - General Purpose Transistor PNP Silicon/ REEL 08AK6759
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







