Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PN2907ATF
PN2907ATF

PN2907ATF ON Semiconductor

pn2907a-fsc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3297+4.29 грн
4311+3.28 грн
5536+2.56 грн
6466+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PN2907ATF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PN2907ATF за ціною від 3.79 грн до 22.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PN2907ATF PN2907ATF onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.39 грн
4000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF PN2907ATF ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7390+4.79 грн
10000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF PN2907ATF ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+4.90 грн
6000+4.55 грн
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF PN2907ATF onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 26796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
25+12.37 грн
100+7.72 грн
500+5.34 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF PN2907ATF onsemi pzt2907a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.96 грн
26+12.89 грн
100+7.19 грн
500+5.36 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF PN2907ATF ONSEMI ONSM-S-A0013274681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.78 грн
64+12.91 грн
100+8.39 грн
500+6.04 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF pzt2907a-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+4.39 грн
4000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF pn2907a-fsc-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7390+4.79 грн
10000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 7390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF pn2907a-fsc-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2885+4.90 грн
6000+4.55 грн
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF pzt2907a-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 26796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
25+12.37 грн
100+7.72 грн
500+5.34 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF pzt2907a-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.96 грн
26+12.89 грн
100+7.19 грн
500+5.36 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PN2907ATF ONSM-S-A0013274681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PN2907ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+22.78 грн
64+12.91 грн
100+8.39 грн
500+6.04 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.