PN2907ATFR ON Semiconductor
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4011+ | 3.08 грн |
| 4055+ | 3.05 грн |
| 4066+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN2907ATFR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PN2907ATFR за ціною від 1.47 грн до 22.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PN2907ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 5262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATFR | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: TO92 Formed Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.8A Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATFR | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: TO92 Formed Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.8A Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATFR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 18061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 40151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PN2907ATFR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| PN2907ATFR | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 194000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
PN2907ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
PN2907ATFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |