PN3563 TRE TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 12V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PN3563 TRE TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 12V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V, Supplier Device Package: TO-92-3.
Інші пропозиції PN3563 TRE TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PN3563 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 12V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PN3563 TRE TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 12V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator
Bipolar Transistors - BJT 12V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN RF Oscillator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.