Продукція > NEXPERIA USA INC. > PQMB11Z

PQMB11Z Nexperia USA Inc.

Name: PQMB11Z
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 6576143-3
Price: 350.35 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	26.95 грн
20+	15.73 грн
50+	11.28 грн
100+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PQMB11Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 230mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PQMB11Z

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	PQMB11Z	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: TRANS PREBIAS 2PNP DFN1010B-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 230mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	PQMB11Z	Виробник : Nexperia	Digital Transistors NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kâ„¦, R2 = 47 kâ„¦	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.