
PQMD13Z Nexperia

Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩ
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 27.19 грн |
14+ | 24.84 грн |
100+ | 19.45 грн |
500+ | 14.92 грн |
1000+ | 12.92 грн |
2500+ | 8.31 грн |
5000+ | 3.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PQMD13Z Nexperia
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PQMD13Z за ціною від 3.49 грн до 3.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PQMD13Z | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 77550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
PQMD13Z | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PQMD13Z | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
PQMD13Z | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |