PQMD3Z

PQMD3Z Nexperia USA Inc.


PQMD3.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.88 грн
25+12.68 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PQMD3Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 230mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PQMD3Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PQMD3Z Виробник : NEXPERIA PQMD3.pdf PQMD3Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3Z Виробник : Nexperia USA Inc. PQMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3Z Виробник : Nexperia PQMD3.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN/NPN resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.