PQMD3Z Nexperia USA Inc.


PQMD3.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.42 грн
25+12.41 грн
100+7.75 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
2000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PQMD3Z Nexperia USA Inc.

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 230mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PQMD3Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PQMD3Z PQMD3Z Nexperia USA Inc. PQMD3.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3Z Nexperia PQMD3.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT1216 50V .1A NPN/PNP RET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 230mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PQMD3Z PQMD3.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 50V .1A NPN/PNP RET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.