PSC1065B1-QZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.82 грн |
| 10+ | 197.33 грн |
| 100+ | 139.30 грн |
| 500+ | 119.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065B1-QZ Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PSC1065B1-QZ за ціною від 120.05 грн до 333.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065B1-QZ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065B1-Q/NAU000/UNCASED |
на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSC1065B1-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |