Продукція > NEXPERIA > PSC1065B1-QZ
PSC1065B1-QZ

PSC1065B1-QZ Nexperia

PSC1065B1-Q.pdf Виробник: Nexperia
SiC Schottky Diodes PSC1065B1-Q/NAU000/UNCASED
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.54 грн
10+205.11 грн
50+133.96 грн
100+119.42 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSC1065B1-QZ Nexperia

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PSC1065B1-QZ за ціною від 148.59 грн до 353.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSC1065B1-QZ PSC1065B1-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PSC1065B1-Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.58 грн
10+224.30 грн
50+174.39 грн
100+148.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065B1-QZ PSC1065B1-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. PSC1065B1-Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.