на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.75 грн |
| 10+ | 182.35 грн |
| 100+ | 117.34 грн |
| 500+ | 106.24 грн |
| 5000+ | 99.90 грн |
| 8000+ | 73.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065B1-QZ Nexperia
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PSC1065B1-QZ за ціною від 119.52 грн до 311.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSC1065B1-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSC1065B1-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

