Продукція > NEXPERIA > PSC1065B1-QZ

PSC1065B1-QZ Nexperia

Name: PSC1065B1-QZ
Brand: Nexperia
SKU: 40434541-4
Price: 585.66 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die

на замовлення 7875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	292.83 грн
10+	216.06 грн
100+	151.92 грн
500+	134.31 грн
1000+	115.96 грн
2500+	111.55 грн
5000+	108.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSC1065B1-QZ Nexperia

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: Die, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PSC1065B1-QZ

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	PSC1065B1-QZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	PSC1065B1-QZ	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.