PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 327.58 грн |
| 10+ | 208.79 грн |
| 100+ | 147.86 грн |
| 500+ | 128.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PSC1065H-QJ за ціною від 94.49 грн до 642.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false Periodische Spitzensperrspannung: 650V rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065H-QJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: SMD hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |