PSC1065H-QJ

PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.


PSC1065H.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: SMD, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSC1065H-QJ за ціною від 113.95 грн до 360.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSC1065H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.57 грн
10+222.61 грн
100+196.14 грн
500+163.75 грн
1000+147.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ Виробник : NEXPERIA 4395775.pdf Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: SMD
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.53 грн
10+274.27 грн
100+213.32 грн
500+167.43 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ Виробник : Nexperia PSC1065H.pdf SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P for automotive applications
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.95 грн
10+237.78 грн
100+159.22 грн
500+141.11 грн
1000+133.57 грн
2500+113.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.