PSC1065H-QJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 200.61 грн |
| 500+ | 179.63 грн |
| 1000+ | 156.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065H-QJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: SMD, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSC1065H-QJ за ціною від 97.40 грн до 403.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065H-QJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: SMD hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |