PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 118.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: SMD, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSC1065H-QJ за ціною від 118.89 грн до 335.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: SMD hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSC1065H-QJ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A SiC Schottky diode in DPAK R2P |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|