PSC1065HJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 132.55 грн |
| 500+ | 101.68 грн |
| 1000+ | 88.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065HJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSC1065HJ за ціною від 88.21 грн до 261.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSC1065HJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 22nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes SOT8017 650V 10A SIC SCHOTT |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PSC1065HJ | Виробник : NEXPERIA |
Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK R2P T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSC1065HJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |