PSC1065KQ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.20 грн |
| 3+ | 204.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065KQ NEXPERIA
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PSC1065KQ за ціною від 80.77 грн до 274.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065KQ | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065K/SOT8021/TO220-2L |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
на замовлення 49799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSC1065KQ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.62 грн |
| 10+ | 162.96 грн |
| 100+ | 113.87 грн |
| 500+ | 87.20 грн |
| 1000+ | 80.88 грн |