PSC1065KQ

PSC1065KQ Nexperia


psc1065k.pdf Виробник: Nexperia
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+137.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSC1065KQ Nexperia

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Інші пропозиції PSC1065KQ за ціною від 125.19 грн до 330.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSC1065KQ PSC1065KQ Виробник : Nexperia psc1065k.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
на замовлення 48850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+154.17 грн
500+146.06 грн
1000+137.94 грн
10000+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.6V
Leakage current: 120µA
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.64 грн
3+208.71 грн
6+173.54 грн
15+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.6V
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.57 грн
3+260.08 грн
6+208.25 грн
15+197.24 грн
1000+188.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ Виробник : Nexperia PSC1065K.pdf SiC Schottky Diodes 650 V, 16 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.50 грн
10+246.45 грн
50+213.57 грн
100+175.40 грн
500+156.32 грн
1000+133.57 грн
2500+130.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ Виробник : Nexperia USA Inc. PSC1065K.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.