| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 159.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065KQ Nexperia
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PSC1065KQ за ціною від 93.96 грн до 279.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065KQ | NEXPERIA |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 42A Max. forward voltage: 2.6V Technology: SiC |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSC1065KQ | Nexperia |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
на замовлення 49799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSC1065KQ | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSC1065KQ | Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065K/SOT8021/TO220-2L |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSC1065KQ |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 42A
Max. forward voltage: 2.6V
Technology: SiC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 120µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 42A
Max. forward voltage: 2.6V
Technology: SiC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.31 грн |
| 3+ | 206.31 грн |
| PSC1065KQ |
|
Виробник: Nexperia
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
на замовлення 49799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 273.44 грн |
| 500+ | 259.30 грн |
| 1000+ | 243.98 грн |
| 10000+ | 221.62 грн |
| PSC1065KQ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 279.04 грн |
| 10+ | 175.56 грн |
| 50+ | 135.59 грн |
| 100+ | 115.15 грн |
| 500+ | 93.96 грн |