на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 139.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065KQ Nexperia
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PSC1065KQ за ціною від 118.65 грн до 432.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSC1065KQ | Виробник : Nexperia |
 Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
на замовлення 48850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 42A Max. off-state voltage: 650V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SCHOTTKY |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSC1065KQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 42A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|