на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 144.27 грн |
| 2000+ | 137.70 грн |
| 5000+ | 136.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSC1065KQ Nexperia
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції PSC1065KQ за ціною від 121.83 грн до 381.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSC1065KQ | Виробник : NEXPERIA |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 42A Leakage current: 120µA |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSC1065KQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 42A Leakage current: 120µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSC1065KQ | Виробник : Nexperia |
SiC Schottky Diodes PSC1065K/SOT8021/TO220-2L |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|