Продукція > PANJIT > PSDB0860S1_T0_00001
PSDB0860S1_T0_00001

PSDB0860S1_T0_00001 Panjit


PSDB0860S1.pdf Виробник: Panjit
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.39 грн
11+29.74 грн
100+22.84 грн
500+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSDB0860S1_T0_00001 Panjit

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

Інші пропозиції PSDB0860S1_T0_00001 за ціною від 26.03 грн до 67.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSDB0860S1_T0_00001 PSDB0860S1_T0_00001 Виробник : Panjit International Inc. PSDB0860S1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.14 грн
10+56.33 грн
100+39.00 грн
500+30.58 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.