PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.10 грн |
| 10+ | 56.30 грн |
| 100+ | 38.98 грн |
| 500+ | 30.57 грн |
| 1000+ | 26.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції PSDB0860S1_T0_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSDB0860S1_T0_00001 | Panjit |
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PSDB0860S1_T0_00001 |
|
Виробник: Panjit
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.