PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.19 грн |
| 10+ | 57.21 грн |
| 100+ | 39.61 грн |
| 500+ | 31.06 грн |
| 1000+ | 26.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSDB0860S1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції PSDB0860S1_T0_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSDB0860S1_T0_00001 | Panjit |
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSDB0860S1_T0_00001 |
|
Виробник: Panjit
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)