Продукція > PANJIT > PSDB0860S1_T0_00001
PSDB0860S1_T0_00001

PSDB0860S1_T0_00001 Panjit


PSDB0860S1.pdf
Виробник: Panjit
Rectifiers 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.28 грн
11+30.15 грн
100+23.16 грн
500+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSDB0860S1_T0_00001 Panjit

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції PSDB0860S1_T0_00001 за ціною від 26.39 грн до 68.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSDB0860S1_T0_00001 PSDB0860S1_T0_00001 Виробник : Panjit International Inc. PSDB0860S1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.06 грн
10+57.10 грн
100+39.54 грн
500+31.00 грн
1000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.