Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PSMB032N08NS1_R2_00601
PSMB032N08NS1_R2_00601

PSMB032N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc.

PSMB032N08NS1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 80V/ 3.4MOHM / MV MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 40 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.32 грн
10+143.99 грн
100+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMB032N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc.

Description: 80V/ 3.4MOHM / MV MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMB032N08NS1_R2_00601 за ціною від 68.04 грн до 247.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMB032N08NS1_R2_00601 PSMB032N08NS1_R2_00601 Виробник : Panjit PSMB032N08NS1.pdf MOSFETs 80V 3.4mohm MV MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.47 грн
10+158.32 грн
100+96.05 грн
500+73.64 грн
800+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_R2_00601 PSMB032N08NS1_R2_00601 Виробник : Panjit International Inc. PSMB032N08NS1.pdf Description: 80V/ 3.4MOHM / MV MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_R2_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PSMB032N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.