PSMB033N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 3.3M / TO-263AB FOR INDUST
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 350.47 грн |
| 10+ | 223.49 грн |
| 50+ | 174.52 грн |
| 100+ | 148.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMB033N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 219A; 333W; DFN5060-8, Pulsed drain current: 219A, Power dissipation: 333W, Gate charge: 85nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Kind of package: reel; tape, Case: DFN5060-8, On-state resistance: 3.4mΩ, Mounting: SMD.
Інші пропозиції PSMB033N10NS2_R2_00201
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMB033N10NS2_R2_00201 | Panjit |
MOSFETs 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMB033N10NS2_R2_00201 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market
MOSFETs 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)