Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PSMB055N08NS1_R2_00601
PSMB055N08NS1_R2_00601

PSMB055N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc.

PSMB055N08NS1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMB055N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc.

Description: 80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMB055N08NS1_R2_00601 за ціною від 45.10 грн до 182.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1_R2_00601 Виробник : Panjit PSMB055N08NS1.pdf MOSFETs 80V 5.5mohm MV MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.05 грн
10+174.09 грн
100+103.25 грн
500+57.29 грн
800+50.38 грн
2400+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1_R2_00601 Виробник : Panjit International Inc. PSMB055N08NS1.pdf Description: 80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4773 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.