Продукція > PANJIT > PSMB055N08NS1-R2

PSMB055N08NS1-R2 Panjit

Виробник: Panjit
MOSFETs TO263 N CHAN 85V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис PSMB055N08NS1-R2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 108A, Power dissipation: 113.6W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 360A, Gate charge: 65.8nC.

Інші пропозиції PSMB055N08NS1-R2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	PSMB055N08NS1_R2_00601	PanJit Semiconductor	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 108A Power dissipation: 113.6W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Gate charge: 65.8nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

PSMB055N08NS1_R2_00601

Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 65.8nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.