Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN004-60B,118
PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc.

PSMN004-60B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+95.78 грн
1600+85.99 грн
2400+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції PSMN004-60B,118 за ціною від 94.26 грн до 189.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+127.80 грн
100+118.81 грн
500+110.79 грн
800+102.86 грн
2400+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+133.09 грн
100+122.75 грн
800+115.33 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.20 грн
115+122.84 грн
800+115.43 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.04 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+189.01 грн
2400+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia PSMN004-60B.pdf MOSFETs PSMN004-60B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc. PSMN004-60B.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+127.80 грн
100+118.81 грн
500+110.79 грн
800+102.86 грн
2400+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+129.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+133.09 грн
100+122.75 грн
800+115.33 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+133.20 грн
115+122.84 грн
800+115.43 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.04 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+189.01 грн
2400+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN004-60B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.