Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN004-60B,118
PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc.

PSMN004-60B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+98.73 грн
1600+88.64 грн
2400+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції PSMN004-60B,118 за ціною від 98.28 грн до 301.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+115.42 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+115.42 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+133.24 грн
100+123.87 грн
500+115.51 грн
800+107.24 грн
2400+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+138.76 грн
100+127.98 грн
800+120.25 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+138.88 грн
115+128.08 грн
800+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+157.47 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.06 грн
2400+193.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia PSMN004-60B.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+301.07 грн
10+193.81 грн
100+122.63 грн
500+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia USA Inc. PSMN004-60B.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
83+115.42 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+115.42 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+124.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+133.24 грн
100+123.87 грн
500+115.51 грн
800+107.24 грн
2400+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+135.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+138.76 грн
100+127.98 грн
800+120.25 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+138.88 грн
115+128.08 грн
800+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+157.47 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+197.06 грн
2400+193.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.07 грн
10+193.81 грн
100+122.63 грн
500+103.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 321997119889276psmn004-60b.pdf
PSMN004-60B,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.