Продукція > NEXPERIA > PSMN004-60B,118
PSMN004-60B,118

PSMN004-60B,118 Nexperia

321997119889276psmn004-60b.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+97.53 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN004-60B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN004-60B,118 за ціною від 88.98 грн до 538.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN004-60B.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.61 грн
1600+91.22 грн
2400+90.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+117.35 грн
115+108.23 грн
800+101.69 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+120.64 грн
100+112.15 грн
500+104.58 грн
800+97.09 грн
2400+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+125.63 грн
100+115.87 грн
800+108.87 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+133.07 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+157.61 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia PSMN004-60B.pdf MOSFETs PSMN004-60B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.29 грн
10+142.37 грн
100+112.48 грн
800+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+166.52 грн
2400+163.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : NEXPERIA PHGLS19823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN004-60B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+408.18 грн
10+176.14 грн
100+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.82 грн
5+368.01 грн
25+331.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.59 грн
5+458.60 грн
25+398.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN004-60B.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : NEXPERIA 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 Виробник : Nexperia 321997119889276psmn004-60b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.