PSMN008-75B,118 Nexperia USA Inc.


PSMN008-75B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN008-75B,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMN008-75B,118 за ціною від 55.74 грн до 195.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B,118 Nexperia PSMN008-75B.pdf MOSFETs PSMN008-75B/SOT404/D2PAK
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.32 грн
10+116.18 грн
100+72.46 грн
800+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B,118 Nexperia USA Inc. PSMN008-75B.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.52 грн
100+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN008-75B/SOT404/D2PAK
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.32 грн
10+116.18 грн
100+72.46 грн
800+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN008-75B,118 PSMN008-75B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.17 грн
10+121.52 грн
100+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.