Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PSMN009-100P,127
PSMN009-100P,127

PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors

PSMN009-100P.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
192+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 192 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN009-100P,127 за ціною від 173.31 грн до 277.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.56 грн
10+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Nexperia 4381148142552845psmn009-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Nexperia 4381148142552845psmn009-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Nexperia 4381148142552845psmn009-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
10000+225.39 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+277.64 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.56 грн
10+173.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 4381148142552845psmn009-100p.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 4381148142552845psmn009-100p.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 4381148142552845psmn009-100p.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+277.64 грн
500+262.22 грн
1000+247.98 грн
10000+225.39 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
129+277.64 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.