Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PSMN009-100P,127
PSMN009-100P,127

PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors

PSMN009-100P.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PSMN009-100P,127 за ціною від 175.60 грн до 298.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN009-100P,127 Виробник : NEXPERIA PSMN009-100P.pdf PSMN009-100P.127 THT N channel transistors
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.05 грн
7+186.10 грн
17+175.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Виробник : Nexperia 4381148142552845psmn009-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Виробник : NEXPERIA 4381148142552845psmn009-100p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN009-100P.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 Виробник : Nexperia PSMN009_100P-2938876.pdf MOSFET PSMN009-100P/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.