PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 217+ | 99.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN009-100P,127 за ціною від 125.93 грн до 245.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN009-100P,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN009-100P,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 797 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN009-100P,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
PSMN009-100P,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
PSMN009-100P,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN009-100P/SOT78/SIL3P |
товар відсутній |