Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN010-80YLX
PSMN010-80YLX

PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.

PSMN010-80YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN010-80YLX за ціною від 47.09 грн до 157.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+96.62 грн
50+72.80 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia PSMN010-80YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003101002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003101002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX 4387152282314512psmn010-80yl.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX 4387152282314512psmn010-80yl.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX 4387152282314512psmn010-80yl.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX 4387152282314512psmn010-80yl.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.66 грн
10+96.62 грн
50+72.80 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX NEXP-S-A0003101002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN010-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX NEXP-S-A0003101002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN010-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 7400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.