PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.


PSMN010-80YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMN010-80YLX за ціною від 31.62 грн до 157.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia PSMN010-80YL.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+77.80 грн
100+49.43 грн
500+40.52 грн
1000+35.41 грн
1500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+96.62 грн
50+72.80 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 84A
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.11 грн
10+77.80 грн
100+49.43 грн
500+40.52 грн
1000+35.41 грн
1500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.66 грн
10+96.62 грн
50+72.80 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.