Продукція > NEXPERIA > PSMN010-80YLX
PSMN010-80YLX

PSMN010-80YLX NEXPERIA


4387152282314512psmn010-80yl.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN010-80YLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN010-80YLX за ціною від 33.33 грн до 131.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.62 грн
3000+36.29 грн
4500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.68 грн
500+45.90 грн
1000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia PSMN010_80YL-1479838.pdf MOSFETs PSMN010-80YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 5557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.59 грн
10+81.05 грн
100+49.36 грн
500+40.09 грн
1500+35.46 грн
3000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.31 грн
10+76.02 грн
100+55.52 грн
500+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.