PSMN010-80YLX

PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.


PSMN010-80YL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+34.51 грн
3000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN010-80YLX за ціною від 34.53 грн до 118.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : NEXPERIA 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.35 грн
500+46.43 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.84 грн
10+68.60 грн
100+51.58 грн
500+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia PSMN010-80YL.pdf MOSFETs N-channel 30 V 11.6 mohm logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.94 грн
10+82.15 грн
25+67.79 грн
100+53.50 грн
250+52.76 грн
500+45.54 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Виробник : Nexperia 4387152282314512psmn010-80yl.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN010-80YLX Виробник : NEXPERIA PSMN010-80YL.pdf PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.