Продукція > NEXPERIA > PSMN011-100YSFX
PSMN011-100YSFX

PSMN011-100YSFX NEXPERIA

3159378.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+67.21 грн
1000+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN011-100YSFX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 152W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції PSMN011-100YSFX за ціною від 56.22 грн до 98.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Виробник : Nexperia psmn011-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+94.47 грн
500+85.03 грн
1000+78.41 грн
10000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3159378.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.43 грн
10+89.95 грн
100+82.99 грн
500+67.21 грн
1000+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX Виробник : NEXPERIA PSMN011-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26.2A
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 152W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX Виробник : NEXPERIA psmn011-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN011-100YSF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN011-100YSF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX PSMN011-100YSFX Виробник : Nexperia PSMN011-100YSF-1600256.pdf MOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-100YSFX Виробник : NEXPERIA PSMN011-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26.2A; Idm: 318A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26.2A
Pulsed drain current: 318A
Power dissipation: 152W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.