PSMN011-100YSFX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 67.84 грн |
| 1000+ | 61.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN011-100YSFX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 152W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PSMN011-100YSFX за ціною від 61.38 грн до 142.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79.5 A, 0.0088 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 152W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| PSMN011-100YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 79.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 79.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2258 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN011-100YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFET 100V N-CH NEXTPOWER IN LFP |
товару немає в наявності |