Інші пропозиції PSMN011-30YLC,115 за ціною від 14.01 грн до 68.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 37A |
на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V Verlustleistung: 29W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PSMN011-30YLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V Verlustleistung: 29W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 16.78 грн |
| 4500+ | 14.01 грн |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 18.03 грн |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4500+ | 22.58 грн |
| 6000+ | 21.27 грн |
| 9000+ | 20.97 грн |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 917+ | 38.57 грн |
| 1000+ | 35.59 грн |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.19 грн |
| 10+ | 40.55 грн |
| 50+ | 29.75 грн |
| 100+ | 24.65 грн |
| 500+ | 18.88 грн |
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 37A
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 37A
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 9900 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






