PSMN011-60HLX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.37 грн |
| 500+ | 53.36 грн |
| 1000+ | 45.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN011-60HLX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN011-60HLX за ціною від 45.04 грн до 141.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN011-60HLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN011-60HLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN011-60HLX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN011-60HL/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN011-60HLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN011-60HLX | Виробник : Nexperia |
N Channel 60V, 11.5 mOhm, Logic Level MOSFET |
товару немає в наявності |