Продукція > NEXPERIA > PSMN011-60HLX
PSMN011-60HLX

PSMN011-60HLX NEXPERIA

3791098.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.15 грн
500+53.16 грн
1000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN011-60HLX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN011-60HLX за ціною від 39.00 грн до 200.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Виробник : NEXPERIA 3791098.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 35 A, 35 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.95 грн
10+127.31 грн
100+87.15 грн
500+53.16 грн
1000+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Виробник : Nexperia PSMN011-60HL.pdf MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 35A
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.82 грн
10+129.63 грн
100+76.93 грн
500+55.07 грн
1500+48.44 грн
3000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Виробник : Nexperia psmn011-60hl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN011-60HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60HLX PSMN011-60HLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN011-60HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.