Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN011-60MSX
PSMN011-60MSX

PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc.

PSMN011-60MS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN011-60MSX за ціною від 16.45 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1219+25.23 грн
10000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 1219
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1219+25.23 грн
10000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 1219
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : NEXPERIA 2341453.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.89 грн
500+27.80 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.39 грн
10+43.05 грн
25+36.81 грн
27+35.62 грн
72+33.65 грн
100+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN011-60MS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.62 грн
10+45.41 грн
100+30.21 грн
500+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia PSMN011-60MS.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.97 грн
10+49.61 грн
100+28.66 грн
500+23.96 грн
1000+22.90 грн
1500+17.29 грн
3000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.47 грн
10+53.64 грн
25+44.17 грн
27+42.75 грн
72+40.38 грн
100+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : NEXPERIA 2341453.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 0.0096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.94 грн
16+53.93 грн
100+35.81 грн
500+27.72 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Виробник : NEXPERIA 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.