Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN011-60MSX
PSMN011-60MSX

PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc.

PSMN011-60MS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.

Інші пропозиції PSMN011-60MSX за ціною від 23.77 грн до 87.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
10+51.16 грн
25+46.04 грн
100+42.69 грн
250+40.67 грн
500+36.57 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 83987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+75.99 грн
518+68.39 грн
1000+63.07 грн
10000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+75.99 грн
518+68.39 грн
1000+63.07 грн
10000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia USA Inc. PSMN011-60MS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.74 грн
50+36.86 грн
100+30.66 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia 3007946706143005psmn011-60ms.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX Nexperia PSMN011-60MS.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA 2341453.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA 2341453.pdf Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.54 грн
10+51.16 грн
25+46.04 грн
100+42.69 грн
250+40.67 грн
500+36.57 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 3007946706143005psmn011-60ms.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 83987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+75.99 грн
518+68.39 грн
1000+63.07 грн
10000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 3007946706143005psmn011-60ms.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
466+75.99 грн
518+68.39 грн
1000+63.07 грн
10000+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.30 грн
10+49.74 грн
50+36.86 грн
100+30.66 грн
500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 3007946706143005psmn011-60ms.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 3007946706143005psmn011-60ms.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 2341453.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX 2341453.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.