PSMN011-60MSX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.27 грн |
| 500+ | 39.67 грн |
| 1000+ | 35.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN011-60MSX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN011-60MSX за ціною від 20.04 грн до 107.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 83987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 61A |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-60MSX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 61 A, 9600 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN011-60MSX | Виробник : NEXPERIA |
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors |
на замовлення 931 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN011-60MSX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 61A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN011-60MSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 61A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1368 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |