Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN012-100YS,115
PSMN012-100YS,115

PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN012-100YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+43.82 грн
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

Інші пропозиції PSMN012-100YS,115 за ціною від 37.07 грн до 230.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia 4381963604789555psmn012-100ys.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.39 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+89.67 грн
100+60.67 грн
500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 Nexperia PSMN012-100YS.pdf MOSFETs PSMN012-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+95.27 грн
100+56.19 грн
500+44.73 грн
1000+39.14 грн
1500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.34 грн
10+149.00 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 4381963604789555psmn012-100ys.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.39 грн
10+97.22 грн
25+81.43 грн
100+73.12 грн
250+68.14 грн
500+64.82 грн
1000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.01 грн
10+89.67 грн
100+60.67 грн
500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN012-100YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.41 грн
10+95.27 грн
100+56.19 грн
500+44.73 грн
1000+39.14 грн
1500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.34 грн
10+149.00 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.